三星半导体的宏图伟业,2020年将推进至4nm工艺

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三星电子半导体事业部今天在美国圣克拉拉举行三星代工论坛上,公布三星最新未来几年的工艺制程路线图,8、7、6、5、4nmFinFET工艺全都上场了,到了2020年左右,三星将会把硅半导体工艺推进到了4nm的极限值,同时将会发展FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺。这个蓝图真的是描绘得雄心壮志,三星将要引领半导体行业?

三星半导体的宏图伟业,2020年将推进至4nm工艺

根据三星官方发布的新闻稿我们可以了解到的情况:

8nm Low Power Plus:称之为使用EUV(极紫外光刻)技术之前最具竞争力的工艺,这个工艺是基于目前的10nm改而来,8nm
LPP工艺可以提供更好的性能表现以及更高逻辑门密度,由于技术难度较小加之是改进型工艺,今年年底将会率先试产。

7nm Low Power
Plus:
该工艺可以说是有了翻天覆地的变化,终于用上了EUV技术(意味着EUV技术将同时成熟)。在这个节点上,三星将会与全球唯一能生产EUV光刻机的ASML公司保持紧密合作,采购的EUV光刻机将会同时到位进行生产。在启用EUV技术节点上,三星和持保守态度的Intel一样,都是选择了7nm,今后所有的工艺都需要用上EUV技术才能生产,而研发、试产日程已经被三星提前至2018年。

6nm Low Power Plus:时间到了2019年,三星将会使用自己的解决方案,在7nm工艺上继续改进,获得更低功耗的芯片。

5nm Low Power
Plus:
三星计划在2019年快步小走,继续将工艺推进至5nm水平,将会进一步扩展FinFET的物理尺度结构,同时兼顾低功耗表现。

4nm Low Power Plus:将会是另一个转接点,将会采用全新的Multi Bridge Channel
FET结构(简称MBCFET,多沟道场效应管),MBCFET是三星开发的专属技术,独特GAAFET(逻辑门环绕场效应晶体管)技术,使用二维纳米片晶克服物理扩展以及FinFET架构性能的局限性。这个历史性转变将会在2020年实现,也就是说我们目前主流的14nm工艺将会在不到3年时间缩减至4nm水平,科技真让人着迷。

FinFET和FD-SOI就像是孪生兄弟,FinFET是老大,永远领先一步,而FD-SOI则是像一个不紧不慢的弟弟,紧跟着时代的步伐。三星没有厚此薄彼,FD-SOI在其手上还是有很大发展空间。

2016年就实现了28nm
FD-SOI工艺,而今年将会使用该工艺应用在射频芯片上,例如说是GPS芯片,因为FD-SOI在制造射频芯片、磁性随机存储芯片上有得天独厚的优势,2018年将会用在三星自行研发的eMRAM上,2019年则会将工艺提升至18nm水平,2020年应用到RF、eMRAM芯片上。

三星半导体的宏图伟业,2020年将推进至4nm工艺

总的来说,三星的“饼”画得非常大,工艺推进速度远超我们认知的水平,而且三星半导体市场总监Kelvin
Low表示,这个蓝图并不是天马行空,而且三星确确实实能在预期的时间点上实现。

小编表示,三星有钱真好,先不说ASML每台EUV光刻机售价超过一亿美元,单单是ASML每年仅仅能生产12台EUV光刻机的速度就能让大部分的半导体企业歇菜,而三星早就一年前买下了第一台EUV机器,而且今年的ASML生产线已经满负荷运作,其他半导体企业有钱想买也只能等来年,而且还要经历安装调试长达1年的产线建设期,三星可谓是抢占先机。

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